| 研究課題/領域番号 |
19206011
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (60205557)
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| 研究分担者 |
和田 一実 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
49,140千円 (直接経費: 37,800千円、間接経費: 11,340千円)
2010年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2009年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2008年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
2007年度: 26,650千円 (直接経費: 20,500千円、間接経費: 6,150千円)
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| キーワード | 非線形光学 / 波長変換 / 半導体レーザ / 擬似位相整合 / 化合物半導体 / 分子線エピタキシー / シリコンフォトニクス / 疑似位相整合 / エピタキシャル成長 / 集積回路 / 光機能素子 |
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| 研究概要 |
副格子交換エピタキシー技術をベースにしたGaAs/AlGaAs 導波路型QPM 波長変換デバイスの高品質化に成功し,最低損失2.7 dB/cm(GaAs 導波路@1.55 μm),SHG最高変換効率34 %/W(2.96 mm 長Al_<0.5>Ga_<0.5>As 導波路@1.55 μm 基本波)を達成した。低温MBE再成長がキーテクノロジーであるが,さらなる高性能化のためには(111)A 面欠陥と組成変調の発生を今後克服する必要がある。HIC-BPM,ZQPM,TQPM といった新規位相整合法を取り入れたAlGaAs 導波路型高性能波長変換デバイスを新たに提案した。
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