| 研究課題/領域番号 |
19206018
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
安武 潔 大阪大学, 工学研究科, 教授 (80166503)
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| 研究分担者 |
垣内 弘章 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10233660)
大参 宏昌 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00335382)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
34,190千円 (直接経費: 26,300千円、間接経費: 7,890千円)
2009年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2008年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2007年度: 25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)
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| キーワード | 大気圧プラズマ / 半導体プロセス / エピタキシャル / 薄膜成長 / プラズマ酸化 / 機能材料 / シリコン / 大気圧プラズマCVD / 大気圧プラズマ酸化 / 大気圧プラズマ窒化 / 全低温プロセス / エピタキシャル成長 / ドーピング・エピ技術 |
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| 研究概要 |
高性能Siデバイスの低温形成に必要な要素技術として、大気圧プラズマ化学気相堆積法による570℃でのドーピング・エピタキシャル成長技術、および400℃での大気圧プラズマ酸化によるSiO_2形成技術を開発した。太陽電池や薄膜トランジスタ等の半導体デバイスにおいて重要な電気特性であるキャリア寿命および移動度等を評価することにより、本方法で低温・高速形成したSiおよびSiO_2膜が、デバイス応用可能な品質を有することを示した。
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