| 研究課題/領域番号 |
19206024
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
熱工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
丸山 茂夫 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (90209700)
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| 研究分担者 |
塩見 淳一郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (40451786)
千足 昇平 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (50434022)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
48,750千円 (直接経費: 37,500千円、間接経費: 11,250千円)
2009年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
2008年度: 16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2007年度: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / CVD合成 / 垂直配向膜 / 熱・光デバイス / 直径制御 / 単層カーボンチューブ / カーボンチューブ / 単層カーボンナノチューブ |
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| 研究概要 |
熱・光デバイス応用に期待される垂直配向単層カーボンナノチューブ膜の高度な構造制御技術を開発した.ナノチューブ膜厚さやナノチューブ直径の制御,また基板上へのパターニング法などデバイス応用には必要不可欠な合成法やその成長メカニズムに関する多くの知見を得ることができた.さらに,単層カーボンナノチューブ膜の熱伝導率の計測を様々手法で行うことにも成功した.
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