| 研究課題/領域番号 |
19206031
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
本久 順一 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (60212263)
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| 研究分担者 |
池辺 将之 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20374613)
橋詰 保 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2009年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
2008年度: 21,450千円 (直接経費: 16,500千円、間接経費: 4,950千円)
2007年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
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| キーワード | 半導体ナノワイヤ / 量子集積ハードウェア / 電界効果トランジスタ / 有機金属気相成長法 / 選択成長 / 論理回路 |
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| 研究概要 |
半導体ナノワイヤを用いた量子集積ハードウェアを構築するため、高均一、高密度の半導体ナノワイヤの形成技術を確立し、それを用いた電界効果トランジスタ(FET)作製と評価を行った。特にシリコン基板上に垂直に配向したナノワイヤを用いた縦型FETの作製技術を確立した。また、ナノワイヤを縦型に集積化した論理回路を提案するとともに、ナノワイヤを横方向に集積化して配列する手法について検討した。
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