研究課題/領域番号 |
19206033
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
大野 英男 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00152215)
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研究分担者 |
大谷 啓太 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (40333893)
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研究協力者 |
林 宗澤 東北大学, 大学院・工学研究科, 博士後期課程学生
ベルムバーリック モハッマド 東北大学, 大学院・工学研究科, 博士前期課程学生
佐藤 啓貴 東北大学, 工学部・情報知能システム総合学科, 学部学生
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研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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配分額 *注記 |
34,060千円 (直接経費: 26,200千円、間接経費: 7,860千円)
2009年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2008年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2007年度: 22,100千円 (直接経費: 17,000千円、間接経費: 5,100千円)
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キーワード | 量子井戸 / MBE・エピタキシャル / 高性能レーザー / テラヘルツ赤外材料・素子 / サブバンド / MBE、エピタキシャル / 高性能レーザ / テラヘルツ / 赤外線素子 / 光源技術 / 量子エレクトロニクス / トンネル現象 / 赤外材料・素子 |
研究概要 |
InAs中赤外量子カスケードレーザ(QCL)の磁場によるキャリアの閉じ込め効果を調べるために、量子井戸の面内に平行方向、及び垂直方向に磁場を印加し、特性を評価した。磁場を面内垂直方向に印加すると、ランダウ準位形成により閾値電流密度が減少した。一方で面内平行方向では閾値電流密度は変化せず、スロープ効率のみが増加するという特異な振る舞いを観測した。又テラヘルツ(THz)帯においても磁場の効果を調べるため、GaAs THz QCLを開発した。加えてTHz帯で高性能化が期待できるZnO量子井戸においてサブバンド間遷移を初めて観測した。
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