| 研究課題/領域番号 |
19206035
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
小田 俊理 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
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| 研究分担者 |
水田 博 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 連携教授 (90372458)
内田 建 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (30446900)
土屋 良重 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教 (80334506)
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| 連携研究者 |
土屋 良重 サザンプトン大学, 電子情報研究科, 講師 (80334506)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
49,010千円 (直接経費: 37,700千円、間接経費: 11,310千円)
2009年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2008年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
2007年度: 25,610千円 (直接経費: 19,700千円、間接経費: 5,910千円)
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| キーワード | ナノ結晶シリコン / ナノシリコンインク / ディップコーティング / 量子情報デバイス / 多重結合量子ドット / スピンブロッケード / ディップコーティング法 / 分散溶液 / 3重nc-Si量子ドット / 微小電荷検出 / LB膜法 / 2重nc-Si量子ドット / RF-SET |
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| 研究概要 |
ネオシリコンの集積化技術を検討した。シランカップリング剤による表面修飾条件を最適化し、均一分散溶液を作製しするとともに、基板表面に段差を設けることにより、空乏ストライプ構造の発生を抑えたディップコーティングによる2次元配列構造の形成に成功した。シリコン量子情報素子の作製と電子輸送評価に関しては、電子ビーム直接描画によりSOI基板上に多重結合量子ドットと制御用サイドゲートを作製し、極低温下における電子輸送特性の測定を行った。
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