| 配分額 *注記 |
46,670千円 (直接経費: 35,900千円、間接経費: 10,770千円)
2009年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
2008年度: 15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円)
2007年度: 19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
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| 研究概要 |
新しい結晶面である半極性(11-22)面上に,InGaN/GaN量子井戸をベースとするレーザ構造を作製することを目標とし,その結晶成長,光物性評価を行った.結晶成長条件の探索により,レーザ構造に必要な各層の作製条件を確立した.また,光学異方性としては,量子井戸の構造に依存せずTE偏光しており,面内の偏光方向は,In組成が小さいとき[1-100],30%を超えて大きくなるとき[-1-123]方向であることを初めて見出した.
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