| 研究課題/領域番号 |
19206037
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
遠藤 哲郎 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授 (00271990)
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| 研究分担者 |
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00134057)
知京 豊裕 物質・材料研究機構, 半導体材料センター, センター長 (10354333)
中山 隆史 千葉大学, 理学系研究科, 教授 (70189075)
山田 啓作 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 (30386734)
品田 賢宏 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (30329099)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
48,750千円 (直接経費: 37,500千円、間接経費: 11,250千円)
2010年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2009年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
2008年度: 9,880千円 (直接経費: 7,600千円、間接経費: 2,280千円)
2007年度: 21,580千円 (直接経費: 16,600千円、間接経費: 4,980千円)
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| キーワード | 半導体デバイス / 集積回路 / ナノデバイス / シリコン結晶シリコンデバイス / 不純物ドープ / 表面科学 / 電子物性 / 電子デバイス / 電子輸送 / シリコン / ひずみ / 移動度 / ナノ電子物性科学 / 半導体 / シリコン結晶 / シリコンデバイス |
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| 研究概要 |
極微細構造のSi結晶の界面構造揺らぎ、不純物分布揺らぎ、表面ポテンシャル揺らぎ、新奇な電子移動現象がデバイスの諸特性へ与える影響の解明を目指し研究を遂行した。その結果、材料レベル及びデバイスレベルでの統計的揺らぎ現象を制御する指針を明らかとし、今後の極微細構造Siを用いたナノスケール半導体デバイス構築のための端緒を得た。
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