| 研究課題/領域番号 |
19206039
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
石原 宏 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (60016657)
|
|---|
| 研究分担者 |
大見 俊一郎 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (30282859)
藤崎 芳久 株式会社日立製作所, (研究開発本部)・中央研究所ULSI研究部, 主任研究員 (00451013)
|
|---|
| 連携研究者 |
藤崎 芳久 株式会社日立製作所(研究開発本部), 中央研究所ULSI研究部, 主任研究員 (00451013)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
47,320千円 (直接経費: 36,400千円、間接経費: 10,920千円)
2010年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
2009年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
2008年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
2007年度: 16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
|
|---|
| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 不揮発性メモリ / 有機強誘電体 / 有機半導体 / フレキシブルメモリ / 強誘電体ゲートトランジスタ / PVDF/TrFE / ペンタセン / PVDF / TrFE / C_60 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、フレキシブル不揮発メモリの実現を目的として、有機強誘電体P(VDF/TrFE)をゲート絶縁膜に用いた有機半導体トランジスタに関する研究を行い、P(VDF/TrFE)薄膜形成プロセス、コンタクトホール形成プロセス、およびペンタセン薄膜上へのP(VDF/TrFE)形成プロセスを最適化することにより、ガラス基板上およびフレキシブル基板上に、メモリ動作を示すトップゲート型有機トランジスタを作製することに成功した。
|
