| 研究課題/領域番号 |
19310068
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
黒田 眞司 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40221949)
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| 研究分担者 |
高増 正 物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (60212015)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円)
2008年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2007年度: 15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 強磁性半導体 / 分子線エピタキシー / 不純物ドーピング / 強磁性クラスター / 磁気異方性 |
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| 研究概要 |
強磁性半導体(Zn, Cr)Te において、ドナー性不純物であるヨウ素をドープした結晶におけるCr組成分布と磁化特性との相関を調べた。ヨウ素のドーピングにより、結晶中でCr が高濃度に凝集した領域が形成され、それに伴い強磁性転移温度が上昇することが明らかになった。Crの平均組成、ヨウ素濃度、および成長温度などの結晶成長条件をさまざまに変化させ成長した(Zn, Cr)Te 薄膜結晶でのCr 組成分布を調べた結果、Cr 凝集領域の形成はとりわけ成長温度により大きく変化し、成長温度の上昇によりその形状がクラスターから1 次元の柱状領域に変化することが示された。
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