| 研究課題/領域番号 |
19310077
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
佐藤 徹哉 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (20162448)
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| 研究分担者 |
牧 英之 慶應義塾大学, 理工学部, 専任講師 (10339715)
篠原 武尚 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用部門, 博士研究員 (90425629)
影島 博之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
栄長 泰明 慶應義塾大学, 理工学部, 准教授 (00322066)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2009年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2008年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2007年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | ナノ多機能材料 / 強磁性誘起 / 4d / 5d遷移金属 / 非磁性-強磁性転移 / 電子構造計算 / 金属ナノ粒子 / 電界印加誘起強磁性 / 光誘起強磁性 / ナノ磁性体 / 磁性制御 / 不均一ひずみ / 磁気異方性制御 / 電気二重層 / 第1原理計算 / 常磁性 / 強磁性スイッチイング / 5d遷移金属ナノ粒子 / XMCD測定 / ESR測定 / バンド計算 / ナノワイヤー / 軌道角運動量 / フリースタンディングナノ粒子 |
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| 研究概要 |
強磁性に近い金属であるPd、Ptなどの4d/5d遷移金属では、ある状況下でフェルミエネルギーでの状態密度が増大して強磁性が発現する場合がある。特に、低次元構造では、外部からの操作により非磁性から強磁性への磁性制御が可能である。この非磁性→強磁性スイッチイングを利用することで磁気デバイスが開発できるものと期待される。本研究では、電気・光学・力学的手法により状態密度を変化させて、ストーナー条件を満たすことで強磁性化を行うという原理に基づく4d/5d遷移金属の磁性操作に関する基礎を研究した。
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