| 研究課題/領域番号 |
19310093
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
猪川 洋 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)
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| 研究分担者 |
藤原 聡 日本電信電話(株), 物性科学基礎研究所, 主幹研究員 (70393759)
西口 克彦 日本電信電話(株), 物性科学基礎研究所, 研究主任 (00393760)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2009年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2007年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| キーワード | 単量子デバイス / 少数電子素子 / 電子デバイス・機器 / 低消費電力 / 単電子デバイス / 単電子転送 / シリコン / 集積回路 |
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| 研究概要 |
標準的なシリコン(Si)集積回路プロセスを用いて、ゲート電圧で誘起されたトンネルバリアを有する単電子デバイスを検討した。Si細線に2本のゲートが横切るタイプの単電子転送デバイスを中心に特性を調べ、容量パラメータの抽出法の提案、転送電流に重畳するノイズの解析、回路動作高速化の検討、種々の情報処理回路の動作実証などを行った。その結果、Si集積回路プロセスにより単電子デバイス・回路を構成し研究を進めて行く礎が築かれた。
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