| 研究課題/領域番号 |
19310094
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
草部 浩一 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 准教授 (10262164)
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| 研究分担者 |
若林 克法 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (50325156)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2008年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2007年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
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| キーワード | ナノデバイス造形 / ナノグラファイト / FET / グラフェン / 炭素材料 / 電子デバイス / 量子伝導現象 / 物質設計 / 第一原理電子状態計算 |
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| 研究概要 |
微細構造形成が可能なナノグラフェンの特異なフェルミ面効果であるエッジ状態の物理に基づき、密度汎関数理論を含む第一原理計算理論に基づく有効理論により、ナノグラフェン伝導素子の伝導特性を理論的に解明した。伝導チャンネルのエッジ形状を電極接合界面やナノグラフェン・基板間界面の活用によって制御すると、素子特性を大きく制御できる。さらに、外部静電磁場印加や化学種の導入、接合面形成により素子を形成・制御する方法を提案した。
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