| 研究課題/領域番号 |
19340083
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 九州大学 |
|---|
研究代表者 |
栃原 浩 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 教授 (80080472)
|
|---|
| 研究分担者 |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 教授 (20107395)
白澤 徹郎 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2007年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
|
|---|
| キーワード | Ge(111)表面 / Sn吸着 / 表面構造 / 半導体表面 / 電子線照射効果 / 低速電子回折 / 相転移 / 低温 / 表面構造相転移 / 半導体表面物性 / 非平衡物質 / Sn 吸着 / シリコン / 電子励起と脱励起 / ドーパント / 半導体キャリアー濃度 / 低温半導体 / LEED |
|---|
| 研究概要 |
本研究をスタートさせる以前に、我々はSi(001)c(4×2)清浄表面構造が約50K以下の低温では低速電子線によって乱れるのを見出していた。本研究では、Ge(111)-Sn吸着系においても、約40K以下の低温でおいてのみ起こる低速電子線による表面構造の無秩序化を見出すのに成功した。Si(001)に続く第2の例である。この現象が起こる一般的条件を明らかにするとともに、その微視的メカニズムを提案した。
|
