| 研究課題/領域番号 |
19340095
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長田 俊人 東京大学, 物性研究所, 准教授 (00192526)
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| 研究分担者 |
鴻池 貴子 東京大学, 物性研究所, 助教 (70447316)
内田 和人 東京大学, 物性研究所, 技術専門職員 (20422438)
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| 連携研究者 |
鴻池 貴子 東京大学, 物性研究所, 助教 (70447316)
内田 和人 東京大学, 物性研究所, 技術専門職員 (20422438)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2008年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2007年度: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
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| キーワード | 分子性固体・有機導体 / グラファイト / 電界効果トランジスタ / メゾスコピック系 / グラフェン / ディラックフェルミオン / 負の層間磁気抵抗 / ゼロギヤップ伝導体 / ランダウ準位 / 超薄膜グラファイト / パルス磁場 / 磁場誘起電子相転移 / 層間磁気抵抗 |
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| 研究概要 |
理想的な多層Dirac電子系における負の層間磁気抵抗現象の発現を理論的に導き、有機導体α-(BEDT-TTF)2I3 におけるDirac 電子系実現を裏付けた。多層グラファイトについて負の層間磁気抵抗現象を実験的に見出し、H点付近の正孔が持つ3次元Dirac 粒子的な性格により実験結果を説明した。単層~少数層グラファイト薄膜FET 構造の作製には成功したが、系統的な物性実験は今後の課題となった。
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