研究課題
基盤研究(B)
新規な有機半導体を開発し、これらを活性層に用いた電界効果トランジスタ(OFET)を作製した。物性と分子構造の関係を検討することにより、高性能を示す分子設計の指針を明らかにした。特に、従来,開発が遅れている大気安定なn型半導体に重点を置いて、フロンティア軌道エネルギーおよび分子間相互作用を考慮して、ヘテロ環化合物を基本骨格としたπ拡張電子系を用いて、高性能のn型薄膜トランジスタの開発に成功した。
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