| 研究課題/領域番号 |
19350114
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
高分子・繊維材料
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
古川 猛夫 東京理科大学, 理学部・第一部化学科, 教授 (90087411)
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| 研究分担者 |
高橋 芳行 東京理科大学, 理学部・第一部, 助教 (80266923)
山本 亮一 群馬産業技術センター, 材料食品グループ, 独立研究員 (40469888)
中嶋 宇史 東京理科大学, 理学部・第一部, 助教 (60516483)
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| 研究協力者 |
岡田 成文 東京理科大学, 大学院・理学研究科修士課程
友田 肇 東京理科大学, 大学院・理学研究科修士課程
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2008年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
2007年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
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| キーワード | 高分子材料物性 / 高分子機能材料 / 強誘電体 / 構造制御 / 分極反転 / PFM / 時分割PFM / メモリー / 強誘電性 / フッ化ビニリデン / 薄膜 / 走査プローブ顕微鏡 / 圧電応答 / ドメイン / 運動論 / 強誘電性高分子 / 走査プローブ顕微法 / 強誘電体メモリー / 分極制御 / 分域構造 / 反転ダイナミクス |
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| 研究概要 |
フッ化ビニリデン系高分子は優れた特性を持つ強誘電体であるが、固体構造が複雑であるために物性の微視的な理解が遅れている。本研究ではその分極反転の過程について、探針を用いて分極状態の分布を測定する圧電応答顕微法を用いて微視的に解明した。さらに長短時間領域の測定によって極めて早い分極反転が可能であることを示した。また応用としてメモリー素子としての基本動作を確認し、素子内での電荷挙動についても解明した。
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