| 研究課題/領域番号 |
19360003
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
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| 研究分担者 |
片山 竜二 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
山本 剛久 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 准教授 (20220478)
矢口 裕之 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50239737)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2009年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2007年度: 13,650千円 (直接経費: 10,500千円、間接経費: 3,150千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / 希薄窒化物半導体 / III-V-N混晶 / 量子ナノ構造 / 量子ドット / InGaAsN / ジメチルヒドラジン / 自己形成量子ドット / 希薄窒化物 |
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| 研究概要 |
InAsN、InGaAsN、InGaPN、InPNなどInをその1成分として含むIII-V-N型混晶半導体による薄膜ないし量子ドット構造をMOVPE法を用いて作製し、結晶成長特性をN濃度との関係において明らかにするとともに、N添加に伴うバンドギャップの縮小効果および発光特性など特徴的な物性を明らかにした。とくにInAsN量子ドットにおいて、波長1.2μmの室温フォトルミネッセンス発光を実現した。本研究により、III-V-N型混晶半導体の物性応用に新規な可能性を示すことができた。
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