| 研究課題/領域番号 |
19360004
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
斉木 幸一朗 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (70143394)
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| 研究分担者 |
池田 進 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (20401234)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2008年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
2007年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円)
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| キーワード | 有機トランジスタ / 移動度 / 薄膜成長 / 表面エネルギー / ペンタセン / フラレン / セキシチオフェン / 電子分光 / 電界効果トランジスタ / 両極性 / 自己組織化膜 / オリゴチオフェン / フタロシアニン / グラフォエピタキシー / 光電子分光 / 電界効果移動度 / 電荷注入障壁 / ペンクセン / LEEM,PEEM |
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| 研究概要 |
有機薄膜デバイスの特性向上のためには,実デバイス構造においてのトランジスタ特性と表面形態,表面電子状態の相関を解明することが重要である.われわれが開発した紫外光電子分光とトランジスタ特性を同時に測定することのできる装置を用いて有機トランジスタの電荷極性,電界効果移動度と,価電子状態を詳細に測定した結果,有機半導体のギャップ内における電極金属のフェルミ準位の位置により電荷極性および移動度が決まることがわかった.
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