| 研究課題/領域番号 |
19360008
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
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研究代表者 |
吉本 昌広 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授 (20210776)
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| 研究分担者 |
尾江 邦重 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授 (20303927)
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| 研究協力者 |
富永 依里子 京都工芸繊維大学, 日本学術振興会特別研究員(DC1), 博士後期課程学生
山田 和弥 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 博士前期課程学生
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円)
2008年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2007年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 半導体物性 / 光物性 / 超格子 / 電子・電気材料 / 半導体半金属混晶 / 発光波長温度無依存 / 分子線エピタキシー / ビスマス / III-V族半導体 / 多重量子井戸 / レーザダイオード / ホトルミネセンス / インジウムリン |
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| 研究概要 |
本研究では、全く未開拓な混晶半導体であるビスマス系III-V族半導体GaInAsBiの製作法を確立し、その物性の解明を目的としている。分子線エピタキシー法を用いてGaInAsBiが製作可能なことを世界で初めて実証した。GaAs中のBiは偏析しやすいため、量子井戸構造の製作は不可能とされてきたが、本研究で(In)GaAsBi/GaAs量子井戸構造を実現した。InGaAsBi、GaAsBi/GaAs量子井戸構造の発光波長は温度無依存化することを明確にした。
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