| 研究課題/領域番号 |
19360011
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮尾 正信 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
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| 研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
浜屋 宏平 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (90401281)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2009年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2008年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2007年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / ディスプレイ / シリコンゲルマニウ / 薄膜トランジスタ / シリコンゲルマニウム |
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| 研究概要 |
フレキシブルなシステムインディスプレイの創出を目指し、高移動度を有するSiGe結晶の低温成長法の探索とデバイス試作を行った。金属触媒と電界印加を重畳した固相成長法を開発し、結晶成長の低温化(≦250℃)を実現した。さらに、ソース及びドレイン電極をショットキー接触構造とした新構造トランジスタを試作し、従来の多結晶Siを凌駕する高いチャネル移動度を実証した。
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