| 研究課題/領域番号 |
19360012
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
柿本 浩一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90291509)
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| 研究分担者 |
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (90327320)
劉 立軍 九州大学, 応用力学研究所, 研究員 (00380535)
中野 智 九州大学, 応用力学研究所, 技術職員 (80423557)
宇田 聡 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (90361170)
黄 新明 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80375104)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2009年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2008年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2007年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
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| キーワード | 電磁場 / 結晶成長 / Si / SiC / シリコン / 3次元解析 |
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| 研究概要 |
動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法を提案し、この方法を実験的に実証した。特に、SiC単結晶成長に関して、液相成長と昇華法について新規な結晶成長法を提案した。昇華法に関しては、炉内圧力を制御することにより、結晶成長速度を増加させることが可能であることを明らかにした。液相成長法に関しては、高周波電磁場の周波数を変化させることにより、液相へ印加される電磁力の大きさを明らかにした。
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