| 研究課題/領域番号 |
19360014
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
服部 健雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
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| 研究分担者 |
木村 健二 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50127073)
中嶋 薫 (中島 薫) 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (80293885)
野平 博司 東京都市大学, 工学部, 准教授 (30241110)
寺本 章伸 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (80359554)
諏訪 智之 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 (70431541)
木下 豊彦 (財)高輝度光科学研究センター, 分子物性IIグループ, 主席研究員 (60202040)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2008年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2007年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
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| キーワード | 界面 / シリコン酸化膜 / シリコン窒化膜 / 光電子分光法 |
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| 研究概要 |
酸素ラジカルおよび窒素-水素ラジカルを用いて形成した高品質のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の組成および構造の解明を目指して、角度分解Si 2p、O 1s、N 1s内殻準位および価電子帯スペクトルを検出深さを揃えて測定した。その解析より、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の密度と構造、界面組成遷移層における組成および構造の面方位依存性、界面における価電子帯上端の不連続量(バンドオフセット)の面方位依存性を明らかにした。
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