| 研究課題/領域番号 |
19360020
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
西垣 敏 九州工業大学, 大学院・工学研究院, 教授 (60126943)
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| 研究分担者 |
西谷 龍介 九州工業大学, 工学研究院, 教授 (50167566)
渡邉 晃彦 (渡邉 晃) 九州工業大学, 工学研究院, 助教 (80363406)
山田 健二 石川工業高等専門学校, 電子情報工学科, 准教授 (50249778)
碇 智徳 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 助教 (40419619)
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| 連携研究者 |
山田 健二 石川工業高等専門学校, 准教授 (50249778)
碇 智徳 宇部工業高等専門学校, 准教授 (40419619)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
2007年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | 準安定原子誘起電子分光 / 表面スピン状態 / 磁性超薄膜 / 表面ナノ構造 |
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| 研究概要 |
表面最外層の電子状態・スピン状態の検出・制御を目指して、ヘリウム準安定原子脱励起分光法を発展させた。この手法をNi表面の酸化-還元プロセスや強相関物質NiOの表面分析に適用した。表面と水素の反応速度が表面の微視的構造の違いで大きく変わること、また電子スペクトルに最外層電子状態の電子相関の強さが反映されることなどが明らかになった。また半導体表面上への強磁性鉄シリサイド超薄膜形成の最適成長条件探索を行った。
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