プラズマ支援レーザCVD法による5H-BNミクロコーン薄膜の大気中電界電子放出

• 研究課題/領域番号: 19360022
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 小松 正二郎 (2010) 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー (60183810); 小松 正二郎 (2007-2009) 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー (70343845)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2010年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2008年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2007年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
• キーワード: 電子放出 / レーザ / プラズマ / BN / 薄膜

研究概要

電界電子放出特性は、仕事関数、表面準位などに強く依存するが、これらは物質の電子構造に依存する。そして、電子構造は、結晶構造によって決定される。レーザ・プラズマ複合化CVD等により得られるsp^<3->結合性BN薄膜の電界電子放出特性の研究において、従って、結晶構造の詳細な検討が必要とされた。特に、本手法により、sp^<3->結合性BNの新規多形として、われわれが既に発表・登録した5H-BNに加えて、われわれは新たに6H-BN及び30H-BNを見出したため、上述の観点からこれら、新規結晶結晶構造の検討とその電子物性の関係を明らかにする必要性が生じた。又、今回、sp^<3->結合性6H-BNが正式にICDD(International Center of Diffdraction Data)に登録されたことも特筆に値する。ここで、共同研究者の小林による第一原理計算からsp^<3->結合性BNの2Hから30Hに至る多形列の熱力学的安定性(非平衡性)を求め、それをionicity, close-packing index,hexagonalityy等の指標によってダイアグラム化する構造解析の新手法を開発し、個々の多形の結晶学的な位置付けに関する新観点をもたらすことに成功した。特に、長周期の多形30H-BNは格子定数cが60Åに達し、このように単位胞が巨大化することで、ポーラロンなどの有効半径に近づき、導電性の異常などの新たな物性が見出される可能性が指摘できた。従来の仕事関数、表面準位、negative electron affinity(NEA)等が、電界電子放出に寄与するという枠組みを超えた可能性が、多形研究から見出されたことを示す。又、非線形電界電子放出モデルの開発も進み、エミッター分布が特性に与える影響の解析が進んだ。

研究成果

• [雑誌論文] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN (2010)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
  • 雑誌名: J.Phys.Chem.C 114 ページ: 13176-13186
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN (2010)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
  • 雑誌名: J.Phys.Chem.C 巻: 114 ページ: 13176-13186
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 30H-BN Polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
  • 雑誌名: Materials Transactions 巻: 51(9) ページ: 1497-1503
  • NAID: 10026599660
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-principles study of 6H-AlN under various pressure conditions (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: 215
  • 査読あり
• [雑誌論文] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: Komatsu S.; Sato Y.; Hirano D.; Nakamura T.; Koga K.; Yamamoto A.; Nagata T; Chikyo T.; Watanabe T.; Takizawa T.; Nakamura K.; Hashimoto T.; Shiratani M.
  • 雑誌名: J.Phys.D : Appl.Phys. 42 ページ: 225107-225112
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2009)
  • 著者名/発表者名: Komatsu, S., Sato, Y., Hirano, D., Nakamura, T., Koga, K., Yamamoto, A., Nagata, T, Chikyo, T., Watanabe, T., Takizawa, T., Nakamura, K., Hashimoto, T., Shiratani, M. J.
  • 雑誌名: Phys.D : Appl.Phys. 42 ページ: 225107-12
  • 査読あり
• [雑誌論文] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: Komatsu, S.; Sato, Y.; Hirano, D.; Nakamura, T.; Koga, K.; Yamamoto, A.; Nagata, T ; Chikyo, T.; Watanabe, T.; Takizawa, T.; Nakamura, K.; Hashimoto, T.; Shiratani, M.
  • 雑誌名: J.Phys.D : Appl.Phys. 42 ページ: 225107-225112
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 10H-BN and 10H-AlN (2009)
  • 著者名/発表者名: K.KOBAYASHI, S.KOMATSU
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Japan Vol.78
  • NAID: 10025959598
  • 査読あり
• [雑誌論文] BN, SiC, AlN polytypes の第一原理計算/ First-Principles Study of BN, SiC, and AlN Polytypes (2008)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 雑誌名: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN Vol.77/Number 8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron field emission in air at an atmospheric pressurefrom sp3-bonded 5H-BN microcones (2007)
  • 著者名/発表者名: S.Komatsu, E.Ohta, H.Tanaka, Y.Moriyoshi, K.Nakajima, T.Chikyo, M.Shiratani
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 101 ページ: 84904-84904
  • 査読あり
• [雑誌論文] New type of BN nanoparticles and films prepared by synergetic deposition processes using laser and plasma : the nanostructures, properties, and growth mechanisms (2007)
  • 著者名/発表者名: S.Komatsu
  • 雑誌名: J.Phys.D : Appl.Phys. 40 ページ: 2320-2320
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2007)
  • 著者名/発表者名: Komatsu S, Ohta E, Tanaka H, Moriyoshi Y, Nakajima K, Chikyo T, Shiratani M
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 101 ページ: 84904-8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron field elnission in au at an atmospheric pressure from sp3-b6nded 5H-BN microcones (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Komatsu, E. Ohta, H. Tanaka, Y. Moriyoshi, K. Nakajima, T. Chikyo, M. Shiratani
  • 雑誌名: J.Appl.Phys 101
  • 査読あり
• [雑誌論文] New type of BN nanoparticles and films prepared by synergetic deposition processes using laser and plasma:the nanostructures, properties,and growth mechanisms (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Komatsu
  • 雑誌名: J.Phys.D:Appl.Phys 40 ページ: 2320-2340
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 5H-BN (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Kobayashi, S. Komatsu
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Japan 76
  • NAID: 110006530727
  • 査読あり
• [学会発表] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • 学会等名: The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces(招待講演)
  • 発表場所: Slovenia, Krvavcem, Hotel Raj
• [学会発表] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BN の新結晶相:基礎と電子デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • 学会等名: ICACNM-2011(招待講演)
  • 発表場所: India, Chandigarh, Panjab University
• [学会発表] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • 学会等名: ICNC 2011(招待講演)
  • 発表場所: India, Kottayam, Mahatma Gandhi University
• [学会発表] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
  • 発表場所: Krvavcem, Hotel Raj (スロベニア)(招待講演)
• [学会発表] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BNの新結晶相:基礎と電子デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICACNM-2011
  • 発表場所: Chandigarh, Panjab University (インド)(招待講演)
• [学会発表] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICNC 2011
  • 発表場所: Kottayam, Mahatma Gandhi University (インド)(招待講演)
• [学会発表] 30H-BNポリタイプ構造の第一原理計算/First-principles study of 30H-BN polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭、小松正二郎
  • 学会等名: 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: つくば国際会議場(エポカルつくば)(茨城県)
  • 年月日: 2010-10-21
• [学会発表] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会(招待講演)
  • 発表場所: 九州大学 伊都キャンパス
  • 年月日: 2010-06-12
• [学会発表] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用 Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
  • 発表場所: 九州大学伊都キャンパス(福岡県)(招待講演)
  • 年月日: 2010-06-12
• [学会発表] 30H-BNポリタイプ構造の第一原理計算/First-principles study of 30H-BN polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 日本金属学会2010年春期大会
  • 発表場所: 筑波大学,茨城県つくば市
  • 年月日: 2010-03-28
• [学会発表] BN/Siヘテロ接合太陽電池/BN/Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 第3回電気電子工学セミナー(招待)
  • 発表場所: 九州大学,福岡市
  • 年月日: 2010-03-23
• [学会発表] 高密度BN薄膜のプラズマ・レーザプロセスによる成長原理と半導体化/growth mechanism and doping of dense-phase BN prepared by plasma-laser synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 仙台"プラズマフォーラム"プラズマナノバイオニクスの基礎研究(招待)
  • 発表場所: 東北大学大学院工学研究科,仙台市
  • 年月日: 2010-03-13
• [学会発表] 高密度BN薄膜のプラズマ・レーザプロセスによる成長原理と半導体化/growth mechanism and doping of dense-phase BN prepared by plasma-laser synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 仙台"プラズマフォーラム" プラズマナノバイオニクスの基礎研究(招待)
  • 発表場所: 東北大学大学院工学研究科,仙台市
  • 年月日: 2010-03-13
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 第27回プラズマプロセシング研究会
  • 発表場所: 横浜市開港記念会館,横浜市
  • 年月日: 2010-02-03
• [学会発表] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • 学会等名: TENCON2010
  • 発表場所: 福岡国際会議場
• [学会発表] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭,長田貴弘,知京豊裕
  • 学会等名: ICRP7
  • 発表場所: Paris, Maison de la Chimie
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学文教キャンパス
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,知京豊裕,小林一昭
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 京都大学
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,知京豊裕,小林一昭
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 熱海 南明ホテル
• [学会発表] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: TENCON2010
  • 発表場所: 福岡国際会議場(福岡県)
• [学会発表] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICRP7
  • 発表場所: Maison de la Chimie(フランス)
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 京都大学(京都府)
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学文教キャンパス(長崎県)
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 南明ホテル(静岡県)
• [学会発表] 12H-AlNの第一原理計算と並列化(OpenMP)/First-principles study of 12H-AlN and parallelization (OpenMP) (2009)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 物性研究所 短期研究会 計算物理学
  • 発表場所: 東京大学物性研究所,千葉県柏市
  • 年月日: 2009-12-10
• [学会発表] レーザー支援プラズマCVD法による導電性sp3結合性BN薄膜の作製と特性評価/Characteristics of conductive sp3-bonded BN film by the laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也,小松正二郎,他
  • 学会等名: 日本電子材料技術協会 第46回秋期講演大会
  • 発表場所: 日本セラミック協会ビル,東京都新宿区
  • 年月日: 2009-11-20
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: AEPSE 2009(招待)
  • 発表場所: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: AEPSE 2009
  • 発表場所: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: AEPSE 2009(招待)
  • 発表場所: BEXCO Convention Center,釡山,韓国
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] 導電性sp3結合性BN薄膜のレーザ支援プラズマCVD法による低温合成/Low-temperature synthesis of conductive sp3-bonded nH-BN films (n=5,6,…) by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也,小松正二郎,他
  • 学会等名: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学,富山市
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] 導電性sp3結合性BN薄膜のレーザー支援プラズマCVD法による低温合成/Low-temperature synthesis of conductive sp3-bonded nH-BN films (n=5,6,…) by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学,富山市
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] sp3-結合性p型BN/n型Siヘテロ接合の作製と光起電力特性評価,Photovoltaic effects in sp3-bonded p-type BN/n-type Si heterojunction prepared by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也,小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] sp3-結合性p型BN/n型Siヘテロ接合の作製と光起電力特性評価 Photovoltaic effects in sp3-bonded p-type BN / n-type Si heterojunction prepared by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 筑波大学つくば市
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] BN/Siヘテロ太陽電池作製用レーザ支援プラズマCVD Laser-assisted plasma CVD for the fabrication of BN/Si hetero junction solar cell (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 太陽電池製造用新規プラズマ源に関する研究会(プラズマ核融合学会)
  • 発表場所: 九州大学
  • 年月日: 2009-03-26
• [学会発表] BN/Siヘテロ太陽電池作製用レーザ支援プラズマCVD Laser-assisted plasma CVD for the fabrication of BN/Si hetero junction solar cell (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 太陽電池製造用新規プラズマ源に関する研究会(プラズマ核融合学会)
  • 発表場所: 九州大学福岡市
  • 年月日: 2009-03-26
• [学会発表] 10H-SiC, 12H-BNの第一原理計算 First-principles study of 10H-SiC and 12H-BN (2009)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 筑波大学つくば市
• [学会発表] 10Hポリタイプ構造における、BN, AlN, SiCの第一原理計算 First-Principles Stud of 10H polytypes for BN, AlN, and SiC (2009)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 日本物理学会第64回年次大会(日本物理学会)
  • 発表場所: 立教大学東京都
• [学会発表] 多様な窒化硼素ポリタイプの第一原理計算 First-Principles Study of various BN polytypes (2009)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: Supercomputing in Solid State Physics 2009(東京大学物性研究所)
  • 発表場所: 東京大学物性研究所柏市
• [学会発表] BN/Siヘテロダイオード太陽電池BN/Si heterodiode solar cell (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 高分子同友会勉強会(社団法人 高分子同友会)
  • 発表場所: (社)高分子同友会事務局
  • 年月日: 2008-11-18
• [学会発表] BN/Siヘテロダイオード太陽電池BN/Si heterodiode solar cell (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 高分子同友会勉強会(社団法人 高分子同友会)
  • 発表場所: (社)高分子同友会事務局、東京都
  • 年月日: 2008-11-18
• [学会発表] 新機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: ISBB2008
  • 発表場所: くにびきメッセ, 松江市
  • 年月日: 2008-09-08
• [学会発表] 高密度BNナノ構造の光支援相変化Photo-assisted phase transformation method for the fabrication of dense-phase BN nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: IUMRSアジア国際会議2008(日本MRS)
  • 発表場所: 名古屋国際会議場
• [学会発表] 新規機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition of New Functional BN Films (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: ISBB2008(ISBB2008組織委員会)
  • 発表場所: くにびきメッセ
• [学会発表] レーザ支援プラズマCVD法によるsp3結合性新規nH-BN薄膜(n=5,6,10,12)の生成と構造Laser-assisted plasma CVD of sp3-bonded nH-BN (n=5,6,10,12) ; their growth mechanism and structures (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] sp3-結合性BN/Siヘテロ接合における光起電力効果Photovoltaic effects in sp3-bonded BN/Si hetero junction prepared by laser-assisted plasma CVD (2008)
  • 著者名/発表者名: 佐藤裕平, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] レーザー支援プラズマCVD法によるp型BN/n型Siヘテロ接合の形成Preparation of p-type BN/n-type Si hetero junction by laser assisted plasma CVD method (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] 稠密ナノ構造BNを形成する光励起相変態Photo-Assisted Phase Transformation Method for the Fabrication of Dense-Phase BN Nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: ICCE-16(ICCE-16組織委員会)
  • 発表場所: 中国(昆明市)
• [学会発表] 新しい機能性BN薄膜のレーザープラズマ同期CVDについてLaser-plasma synchronous CVD of new functional BN films (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS実行委員会)
  • 発表場所: アイルランド(ダブリン市)Trinity College
• [学会発表] 高密度BNナノ構造の光支援相変化 Photo-assisted phase transformation method for the fabrication of dense-phase BN nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: IUMRSアジア国際会議2008(日本MRS)
  • 発表場所: 名古屋国際会議場名古屋市
• [学会発表] BN, AlN10Hポリタイプ構造の第一原理計算 First-Principles Study of 10H polytype structures for BN and AlN (2008)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: Computational Science Workshop 2008(CSW2008)(産業技術総合研究所 計算科学研究部門)
  • 発表場所: エポカルつくばつくば市
• [学会発表] BN, AlNポリタイプ(多形、2H〜6H, 10H)の第一原理計算 First-Principles Study of BN and AlN Polytypes (2H - 6H, and 10H) (2008)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 第17回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究(社団法人 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会)
  • 発表場所: 大田区産業プラザ東京都
• [学会発表] BN, SiC, AlNポリタイプ(多形)の第一原理計算 First-Principles Calculations of BN, SiC and AlN Polytypes (2008)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 第22回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)
  • 発表場所: 早稲田大学理工学部東京都
• [学会発表] 新規機能性BN薄膜のレーザプラズマ同期CVD Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition of New Functional BN Films (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: ISBB2008(ISBB2008組織委員会)
  • 発表場所: くにびきメッセ松江市
• [学会発表] レーザ支援プラズマCVD法によるsp3結合性新規nH-BN薄膜(n=5,6,10,12)の生成と構造 Laser-assisted plasma CVD of sp3-bonded nH-BN (n=5,6,10,12) ; their growth mechanism and structures (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 中部大学春日井市
• [学会発表] sp3-結合性BN/Siヘテロ接合における光起電力効果 Photovoltaic effects in sp3-bonded BN / Si hetero junction prepared by laser-assisted plasma CVD (2008)
  • 著者名/発表者名: 佐藤裕平, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 中部大学春日井市
• [学会発表] レーザー支援プラズマCVD法によるp型BN/n型Siヘテロ接合の形成 Preparation of p-type BN / n-type Si hetero junction by laser assisted plasma CVD method (2008)
  • 著者名/発表者名: 平野大輔, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会(社団法人 応用物理学会)
  • 発表場所: 中部大学春日井市
• [学会発表] 稠密ナノ構造BNを形成する光励起相変態 Photo-Assisted Phase Transformation Method for the Fabrication of Dense-Phase BN Nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: ICCE-16(ICCE-16組織委員会)
  • 発表場所: 雲南デイエンチーガーデンリゾートホテル 中国(昆明市)
• [学会発表] 新しい機能性BN薄膜のレーザープラズマ同期CVDについて Laser-plasma synchronous CVD of new functional BN films (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS実行委員会)
  • 発表場所: アイルランド(ダブリン市) Trinity College
• [学会発表] パルスレーザー・変調プラズマ同期化学気相成長法による?新しい結晶構造の窒化ホウ素の成長:ナゾの本質は何か? (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎
  • 学会等名: 第10回プラズマと物質科学の研究討論会
  • 発表場所: 核融合研究所,土岐市,日本
• [学会発表] ポストーデポジョン・レーザーアブレーションによるミクロコーンエミッターの成長 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平野 大輔, 小松 正二郎, 佐藤 裕平, 滝沢 武男
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合後援会
  • 発表場所: 日本大学理工学部船橋キャンパス,千葉県船橋市,日本
• [学会発表] レーザー支援プラズマCVD法におけるプラズマパルス化の影響 (2008)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 裕平, 小松 正二郎, 平野 大輔, 渡辺 隆行
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合後援会
  • 発表場所: 日本大学理工学部船橋キャンパス,千葉県船橋市,日本
• [学会発表] レーザー支援とプラズマCVD法におけるsp3結合性5H-BNミクロコーンの形成機構 (2008)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎, 佐藤 裕平, 平野 大輔, 渡辺 隆行, 滝沢 武男
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合後援会
  • 発表場所: 日本大学理工学部船橋キャンパス,千葉県船橋市,日本
• [学会発表] プラズマ支援レーザCVDによるsp3結合性5H-BN電子エミッター薄膜の成長と特性 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 他
  • 学会等名: ICONO/LAT2007
  • 発表場所: National Cultural Center, Minsk, Belarus
  • 年月日: 2007-05-28
• [学会発表] プラズマ支援レーザCVDによるsp3結合性5H-BN電子エミッター薄膜の成長と特性 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎, 田中 洋則, 佐藤 裕平, 守吉 佑介, 太田 英一
  • 学会等名: ICNO/LAT2007
  • 発表場所: National Cultural Center,Minsk,Belarus
• [学会発表] レーザプラズマ・同期CVDによる機能性BN薄膜 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎, 佐藤 裕平, 守吉 佑介, 知京 豊裕, 渡辺 隆行
  • 学会等名: 第20回プラズマ材料科学シンポジウム
  • 発表場所: 名古屋大学,名古屋市千種区,日本
• [学会発表] 機能性BN薄膜のレーザプラズマシンクロCVD:形態依存性機能と成長機構 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎
  • 学会等名: ICCE-15組織委員会
  • 発表場所: SOfitel Fisi WestCoast Haainan,HOTEL,Haikou,China
• [学会発表] 新規機能性BN薄膜のレーザ・プラズマ同期CVD (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎
  • 学会等名: 17th th IKETANI CONFERENCE
  • 発表場所: 東京大学弥生講堂・一条ホール,東京,日本
• [学会発表] レーザーとプラズマを用いたシナジーCVDによるsp3-結合性5H-BN薄膜の大気中1気圧における電界電子 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松 正二郎, 太田 英一, 佐藤 裕平, 渡辺 隆行, 中島 清美, 知京 豊裕
  • 学会等名: AEPSE-2007
  • 発表場所: やすらぎ伊王島,長崎市,日本
• [産業財産権] 窒化ホウ素膜表面に先端の尖った結晶が自己相似性フラクタル模様を呈して電子放出に適った密度で二次元分布してなる窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 小松正二郎/岡田勝行/守吉佑介
  • 権利者名: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2004-371693
  • 取得年月日: 2010-12-24
• [産業財産権] 大気中電子放出特性を有する電子放出素子とその製造方法、および、この素子を使用した電子放出方法 (2010)
  • 発明者名: 小松正二郎,/岡田勝行/守吉佑介
  • 権利者名: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • 取得年月日: 2010-10-22
• [産業財産権] 電界電子放出素子とその製造方法及びこの素子を使用した電子放出方法、並びに、電界電子放出素子を使用した発光・表示デバイスとその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 小松正二郎/知京豊裕/岡田勝行/守吉佑介
  • 権利者名: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • 取得年月日: 2010-07-20
• [産業財産権] sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎/知京豊裕/佐藤裕平
  • 権利者名: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2008-081434
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] コーン・エミッタの形成方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎/知京豊裕/佐藤裕平/平野大輔
  • 権利者名: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2008-081441
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] 半導体材料とその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎/知京豊裕/佐藤裕平/平野大輔
  • 権利者名: 独立行政法人物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2008-081863
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔, 長田貴弘
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2008-081434
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] コーン・エミッタの形成方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2008-081441
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] 半導体材料とその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 佐藤祐平, 平野大輔
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 産業財産権番号: 2008-081863
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] 紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 (2008)
  • 発明者名: 小松正二郎, 岡田勝行, 守吉佑介
  • 権利者名: (独) 物質・材料研究機構
  • 取得年月日: 2008-09-09
• [産業財産権] sp3-結合性B塙密度相を有するBN薄膜およびその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 小松 正二郎/知京 豊裕/佐藤 裕平/平野 大介/長田 貴弘
  • 権利者名: 岸 輝雄
  • 産業財産権番号: 2008-081434
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] コーン・エミヅタの形成方法 (2008)
  • 発明者名: 小松 正二郎/知京 豊裕/佐藤 裕平/平野 大介
  • 権利者名: 岩 輝雄
  • 産業財産権番号: 2008-081441
  • 出願年月日: 2008-03-26
• [産業財産権] 半導体材料とその製造力法 (2008)
  • 発明者名: 小松 正二郎/知京 豊裕/佐藤 裕平/平野 大輔
  • 権利者名: 岸 輝雄
  • 産業財産権番号: 2008-081863
  • 出願年月日: 2008-03-26