| 研究課題/領域番号 |
19360025
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
安田 哲二 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 (90220152)
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| 研究分担者 |
藤原 裕之 国立大学法人岐阜大学, 工学部, 教授 (40344444)
田中 正俊 国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (90130400)
大野 真也 国立大学法人横浜国立大学, 大学院工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2008年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2007年度: 13,130千円 (直接経費: 10,100千円、間接経費: 3,030千円)
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| キーワード | 表面 / 界面物性 / 電子 / 電気材料 / 光物性 / 半導体超微細化 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 |
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| 研究概要 |
表面・界面に敏感な光学測定として知られる反射率差分光(RDS)の測定エネルギー域を、従来の可視・紫外域(1~5 eV)から、真空紫外領域(~8.5 eV)へ拡張した装置を開発した。この装置を用いて、電界効果トランジスタの新チャネル材料上のゲート絶縁膜界面の構造を評価した。その結果、Siナノワイヤチャネル側面のモデルである高指数面上の熱酸化膜において、熱負荷とともに界面構造が変化する現象を見出した。また、高移動度チャネルとして有望なGeやIII-V族半導体への絶縁膜形成において、界面光学応答が変化する様子を観測した。
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