| 研究課題/領域番号 |
19360138
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
石川 靖彦 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (60303541)
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| 研究分担者 |
和田 一実 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511)
上浦 洋一 岡山大学, 自然科学研究科, 教授 (30033244)
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| 連携研究者 |
和田 一実 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511)
上浦 洋一 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (30033244)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2008年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2007年度: 14,170千円 (直接経費: 10,900千円、間接経費: 3,270千円)
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| キーワード | 薄膜・量子構造 / 量子井戸 / 量子閉じ込め / 光物性 / 光源技術 / MBE、エピタキシャル |
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| 研究概要 |
室温動作するSi 系1.5μm 帯発光素子実現に向け、Er をドープしたSi 量子井戸を作製し、発光特性評価を行った。検討した2 種類の方法のうち、SiO2 上へのEr ドープSi 成長を利用する方法により、多結晶ではあるがEr ドープSi 量子井戸の作製に成功した。フォトルミネセンス測定の結果、Er の内殻遷移による1.54μm の室温発光を得ることができた。Si の量子井戸化により温度消光が低減されるという本研究提案が実証できた可能性がある。
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