| 研究課題/領域番号 |
19360139
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
サンドゥー アダルシュ (SANDHU Adarsh / SANDHU ADARSH) 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 准教授 (80276774)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2008年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
2007年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
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| キーワード | 磁性 / 走査プローブ顕微鏡 / 磁区 / スピンエレクトロニクス / 磁気記録 / 走査型ホールプローブ顕微鏡 / 強磁性体 / AlGaN / GaN / 2次元電子ガスヘテロ接合 / 磁気記録媒体 |
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| 研究概要 |
高温における強磁性体の磁区構造の観察を目的とし、高温走査型ホールプローブ顕微鏡(High Temperature Scanning Hall Probe Microscopy, HT-SHPM)用プローブを作製した。高温観測のためのプローブにAl 組成比、Siドープの有無など構造の異なるAlGaN/GaNの温度特性を調べ、感磁部の大きさが2μm×2μmであるホールプローブを作製した。作製したプローブの電気特性を評価し、ホール係数は25℃で0.0077Ω/G、400℃においては0.0046Ω/Gという結果を得た。また、HT-SHPMを用いて100℃以上における強磁性体ガーネット薄膜の磁区観察、外部磁界印加時の磁区観察に成功した。
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