| 研究課題/領域番号 |
19360143
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
綱島 滋 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80023323)
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| 研究分担者 |
岩田 聡 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60151742)
加藤 剛志 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (50303665)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2008年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2007年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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| キーワード | メモリ / 熱磁気記録 / アモルファス合金 / スピン注入 / ジュール熱 / 臨界電流密度 |
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| 研究概要 |
本研究は固体メモリの高速性, 磁気記録の不揮発性, さらには低電力での書き換え特性を兼備した固体メモリデバイスの開発を目的とし, 微細加工した希土類遷移金属(RE-TM)垂直磁化膜への熱磁気記録, RE-TM膜へのスピン注入磁気記録を試みた. RE-TM膜を用いることで十分実現可能なパワー密度で高速の熱アシスト磁化反転が可能であることが分かった.さらに.RE-TM垂直磁化膜へのスピン注入による磁化反転を確認することに成功し, 低電力での磁化反転の可能性を示すことができた.
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