| 研究課題/領域番号 |
19360145
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
佐藤 了平 大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 教授 (80343242)
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| 研究分担者 |
福田 武司 大阪大学, 工学研究科, 教授 (50354585)
木村 吉秀 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (70221215)
岩田 剛治 大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 准教授 (30263205)
森永 英二 大阪大学, 工学研究科, 助教 (80432508)
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| 研究協力者 |
尾野 直紀
高木 透
山川 洋幸
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2007年度: 16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
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| キーワード | 透明導電膜 / フラットパネルディスプレイ / ナノシード層 / SnO_2, YAGレーザ加工 / 次世代ディスプレイ / エピタキシャル / レーザ加工 / Sn02 / YAGレーザ加工 |
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| 研究概要 |
次世代ディスプレイ用SnO_2系超低抵抗導電膜作成技術の構築を目指し、SnO2-Ta-Nb系高密度(95%以上)焼結ターゲットを実現し、(110)面、(200)面が基板面に垂直な方向での配向によりSnの5S軌道の重なりを確保しやすくし移動度の向上を達成し、高温アニール(873K)膜として最も低い6.5×10-^5Ω・mを達成した。また、Ta,Nbドープにより、3J/cm^2での低エネルギー加工ができることを世界で初めて明らかにした。
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