| 研究課題/領域番号 |
19360148
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 立命館大学 |
|---|
研究代表者 |
鈴木 彰 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (10111931)
|
|---|
| 研究分担者 |
田中 悟 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (80281640)
園田 早紀 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 准教授 (30397690)
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 准教授 (20312126)
江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
|
|---|
| 連携研究者 |
福井 一俊 福井大学, 工学部, 教授 (80156752)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2009年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2008年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2007年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
|
|---|
| キーワード | ワイドギャップ半導体 / 窒化アルミニウム / ガドリニウム / 希土類 / MBE成長法 / スパッタ製膜法 / 紫外発光 / 内殻遷移 |
|---|
| 研究概要 |
希土類元素Gdを含むAlN薄膜を用いて、Gdから発生する紫外光を有効に利用した新しい紫外発光素子を開発するために、薄膜作製と得られた薄膜の特性評価を行った。コストのかからない薄膜作製法として、安価なSiウェハ上への高周波スパッタ法での作製を行い、各種作製条件と作製した薄膜の結晶品質、発光特性等との関連を調べた。その結果、室温で波長約315nmの紫外発光を安定に得られる薄膜作製条件を得ることができた。また発光機構解明のための光学実験や、比較のための超高真空分子線成長(MBE)法による薄膜作製も行った。
|
