| 研究課題/領域番号 |
19360149
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
宮田 典幸 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40358130)
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| 研究分担者 |
野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
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| 研究協力者 |
阿部 泰宏 武蔵工業大学, 大学院工学研究科, 博士課程学生
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
15,600千円 (直接経費: 12,000千円、間接経費: 3,600千円)
2008年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2007年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
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| キーワード | 高誘電率絶縁膜 / 絶縁膜 / 半導体界面 / 半導体工学 / 電界効果型トランジスタ / 絶縁体・半導体界 / 界面物性 / 絶縁体・半導体界面 |
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| 研究概要 |
本研究では、直接接合ハフニウム酸化膜/シリコン界面に誘起される異常なダイポール層の起源を明らかにすることを目的として、種々の分析方法を用いて界面電子状態および化学結合状態を評価した。界面ダイポールの発生状況は、界面準位密度等の電子状態との相関を示さず、界面Si-O結合に依存することが明らかとなった。よって、界面Si-O 結合がダイポール発生の主な原因であると考えられる。また、直接接合ハフニウム酸化膜/ゲルマニウム界面の作製に成功し、シリコン基板上と同様な界面ダイポールの存在を初めて確認した。
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