| 研究課題/領域番号 |
19360153
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
田中 徹 東北大学, 大学院・医工学研究科, 教授 (40417382)
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| 研究分担者 |
福島 誉史 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10374969)
MOSSAD Ali Atif 東北大学, 大学院・工学研究科, 産学官連携研究員 (80436097)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2008年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2007年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 電子デバイス / デバイス設計 / 半導体超微細化 / 超薄膜 / 雷子デバイス |
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| 研究概要 |
従来のCMOS技術の延長では実現不可能であるナノメートル領域で動作する新しいトンネル注入制御ゲルマニウムナノデバイスを提案し、キーテクノロジである高純度ゲルマニウム層の作製技術を確立した。また、高透磁率金属ナノドットを有する高周波動作用インダクタの作製に成功した。キャリア伝導メカニズムの実験的解析法として、超高周波領域で測定した散乱パラメータ(Sパラメータ)を用いたキャリアの反射/透過現象のモデル化手法を確立した。
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