シリコンカーバイドを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリ

• 研究課題/領域番号: 19360156
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 須田 良幸 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (10226582)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 17,030千円 (直接経費: 13,100千円、間接経費: 3,930千円); 2008年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円); 2007年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
• キーワード: 集積回路 / 半導体メモリ / シリコンカーバイド / 不揮発性メモリ / RRAM / 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ / 不揮発性RAM / MIS / 3C-SiC / 抵抗変化型RAM / 酸化膜 / 電子トラップ / フラッシュメモリ

研究概要

世界で初めて考案した全く新しい構造と新しい動作原理に基づくシリコンカーバイトを用いた高密度化が可能な二端子構造の抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)について、構造と基本作製プロセスと基本特性との相関を明確にした。また、本メモリを集積回路として構成するための現行製造プロセス温度と整合する低温作製プロセスを提示した。これらの結果から本メモリの次世代の集積化不揮発性メモリとしての展開が期待される。

研究成果

• [雑誌論文] SiO_x/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Suda, M. Shouji, and K. TAKADA
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express vol.1 ページ: 714011-714013
  • 査読あり
• [雑誌論文] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子 (2008)
  • 著者名/発表者名: 須田良幸
  • 雑誌名: vol.77 ページ: 1107-1110
  • NAID: 10024192381
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si0/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Suda, M. Shouji, K. Takada
  • 雑誌名: Applied Physics Express 1
  • 査読あり
• [雑誌論文] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子 (2008)
  • 著者名/発表者名: 須田良幸
  • 雑誌名: 応用物理 77 ページ: 11071110-11071110
  • NAID: 10024192381
  • 査読あり
• [学会発表] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si (001)Nonvolatile Resistance Memory Formedwith One-Stage Oxidation Process (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, Y. Suda
  • 学会等名: 214th ECS Meeting (PRiME 2008)
  • 発表場所: Hawaii
  • 年月日: 2008-10-15
• [学会発表] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山口祐一郎,長谷川宏巳,須田良幸
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛知県春日井市
  • 年月日: 2008-10-03
• [学会発表] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, and Y. Suda
  • 学会等名: 214th ECS meeting
  • 発表場所: Hawaii
• [学会発表] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山口祐一郎、長谷川宏巳、須田良幸
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
• [備考]
  • URL: http://www.tuat.ac.jp/?boss
• [産業財産権] 半導体メモリ装置, 及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 須田良幸、野村彬成
  • 権利者名: 東京農工大学
  • 産業財産権番号: 2009-061883
  • 出願年月日: 2009-03-13
• [産業財産権] 半導体メモリ装置、及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 須田良幸野村彬成
  • 権利者名: 東京農工大
  • 出願年月日: 2009-03-13
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2008)
  • 発明者名: 須田良幸、太田豊
  • 権利者名: 東京農工大学, 三洋半導体
  • 出願年月日: 2008-09-08
  • 外国
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2008)
  • 発明者名: 須田良幸、太田豊
  • 権利者名: 東京農工大学, 三洋半導体
  • 出願年月日: 2008-09-08
  • 外国
• [産業財産権] SiC不揮発性メモリの製造方法 (2008)
  • 発明者名: 須田良幸、山口祐一郎
  • 権利者名: 東京農工大学
  • 産業財産権番号: 2008-215746
  • 出願年月日: 2008-08-25
• [産業財産権] SiC不揮発性メモリの製造方法 (2008)
  • 発明者名: 須田良幸山口祐一郎
  • 権利者名: 東京農工大
  • 出願年月日: 2008-08-25
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2008)
  • 発明者名: 須田良幸太田
  • 権利者名: 東京農工大三洋半導体
  • 出願年月日: 2008-09-08
  • 外国
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2008)
  • 発明者名: 須田良幸太田豊
  • 権利者名: 東京農工大三洋半導体
  • 出願年月日: 2008-09-08
  • 外国
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2007)
  • 発明者名: 須田良幸、太田豊
  • 権利者名: 東京農工大学, 三洋半導体
  • 産業財産権番号: 2007-310662
  • 出願年月日: 2007-11-30
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2007)
  • 発明者名: 須田良幸、太田豊
  • 権利者名: 東京農工大学, 三洋半導体
  • 産業財産権番号: 2007-310663
  • 出願年月日: 2007-11-30
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2007)
  • 発明者名: 須田良幸, 大田豊
  • 権利者名: 東京農工大三洋半導体
  • 産業財産権番号: 2007-310662
  • 出願年月日: 2007-11-30
• [産業財産権] 半導体メモリ装置 (2007)
  • 発明者名: 須田良幸, 大田豊
  • 権利者名: 東京農工大三洋半導体
  • 産業財産権番号: 2007-310663
  • 出願年月日: 2007-11-30