| 研究課題/領域番号 |
19360160
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
中本 正幸 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (10377723)
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| 研究分担者 |
後藤 康仁 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (00225666)
畠山 力三 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00108474)
鈴木 信三 京都産業大学, 理学部, 准教授 (10226516)
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| 連携研究者 |
文 宗鉉 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (30514947)
加藤 俊顕 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20502082)
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| 研究協力者 |
TULLER Harry 米国マサチューセッツ工科大学(MIT), 工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2008年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2007年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / NEMS / 微小電子源 / 真空ナノエレクトロニクス / ディスプレイ / FED / 電界放出電子源 / 真空ナノパワースイッチングデバイス / CNT |
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| 研究概要 |
エミッタ材料選択性が極めて高く、先鋭で均一なエミッタ作製法である独自の転写モールド法とカーボンナノチューブ(CNT)作製技術との融合により、CNTをエミッタ先端のNi触媒部分に成長させ、従来のアスペクト比0.71、Turn-on電界14.9V/μmと比較して、アスペクト比0.93、12.5V/μmと、それぞれ、31%及び16%も向上した超精密位置・成長制御された転写モールド法CNT微小電子源の開発に成功した。
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