| 研究課題/領域番号 |
19360166
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
野村 一郎 上智大学, 理工学部・機能創造理工学科, 講師 (00266074)
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| 研究分担者 |
岸野 克巳 (岸野 克己) 上智大学, 理工学部, 教授 (90134824)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2008年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2007年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
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| キーワード | 緑色半導体レーザ / 光励起発振 / ダブルヘテロ構造 / II-VI族半導体 / BeZnSeTe / InP基板 / MgSe / BeZnTe超格子 / しきい値電流密度 / 寿命特性 / 選択エッチング / 半導体レーザ / 緑色 / II-IV族半導体 / 分子線エピタキシー / 信頼性 / 超格子 |
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| 研究概要 |
緑色半導体レーザの開発を目指しInP基板上のII-VI族半導体材料の開拓を進めた。BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造(DH)では室温において緑色～黄色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色～黄色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。BeZnSeTeを活性層とするDHレーザ構造を作製し、電流注入により評価したところ550～560nmにおいて黄緑色の発光が観測された。
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