| 研究課題/領域番号 |
19360284
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
土井 正晶 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10237167)
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| 研究分担者 |
佐橋 政司 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20361123)
三宅 耕作 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20374960)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
20,670千円 (直接経費: 15,900千円、間接経費: 4,770千円)
2009年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2008年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2007年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
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| キーワード | エピタキシャル薄膜 / 単原子積層 / 巨大磁気抵抗効果 / CPP-GMR スピンバルブ / スピン分極率 / スピン伝導非対称パラメータ / MR 変化率 / CPP-GMRスピンバルブ / アンドレーフ反射 / スピン非対称パラメータ / MR変化率 / エピタキシャリル薄膜 / フルエピタキシャル |
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| 研究概要 |
超高真空EB 蒸着法およびIBS 法を用いて単結晶MgO(001)基板/Au(300nm)電極上にAML[Fe/Co]n/NM(5nm)/AML[Fe/Co]n (n=21～37)エピタキシャル薄膜を積層し、その上にIrMn(7nm)を積層したスピンバルブ薄膜を作製した。スピン伝導の解析の結果、室温でスピン散乱非対称性係数β=0.76、γ=0.81 と大きな値を持つことを明らかにした。また、AML/NM/AML 薄膜のβ値の温度変化から、室温において高いβ値が維持できることを明らかにし、AML[Fe/Co]n がCPP-GMR のエンハンスにつながる有力な材料であることを明らかにした。
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