配分額 *注記 |
14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2009年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2008年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2007年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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研究概要 |
本研究は低速陽電子ビームを用いた酸化膜/半導体構造評価手法を開発し,理想的な金属/酸化膜/半導体界面構造を得るためのプロセスを探索することである.低速陽電子ビーム,XPS,電気的特性評価等により,TiN/SiO_2/Si,HfSiO_x/Si,CVD-SiO_2,熱酸化SiO_2を評価することによりこれらの欠陥と電気的特性の関係を明らかにした.また,Cu/low-k配線構造を有する試料についてlow-kとメタルバリアの反応を研究した.
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