研究課題
基盤研究(B)
本研究では,反応性プラズマプロセスに斜め堆積法を導入することにより,InN薄膜の微細構造制御を行い,エレクトロクロミック律速因子を明らかにした.最も早い色変化応答時間として0.1秒を実現した.
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