| 研究課題/領域番号 |
19360290
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
境 誠司 日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 研究副主幹 (10354929)
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| 研究分担者 |
三谷 誠司 物質材料研究機構, 磁性材料センター, グループリーダー (20250813)
馬場 祐治 日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用部門, グループリーダー (90360403)
アブラモフ パベル (AVRAMOV Pavel) Kirensky Institute of Physics, 教授 (00414582)
松本 吉弘 日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 研究員 (80455287)
圓谷 志郎 日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 博士研究員 (40549664)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2008年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2007年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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| キーワード | ナノ物性 / フラーレン / 遷移金属 / ナノ粒子 / 磁気抵抗 / スピントロニクス / 有機分子 / スピン偏極 / 分子スピントロニクス / 界面 / 磁気抵抗効果 / トンネル磁気抵抗効果 / トンネル効果 / スピン注入 / フフーレン |
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| 研究概要 |
フラーレン(C_<60>)-コバルト(Co)系グラニュラー薄膜(C_<60>-Co化合物中にCoナノ粒子が分散)の巨大トンネル磁気抵抗(TMR)効果について、組成によるCoナノ粒子の分散状態の変化を反映して最大1000%の磁気抵抗が生じることを明らかにした。放射光を用いた分光実験の結果、薄膜中のC_<60>-Co化合物が局在スピンによる磁性を示すこと、同スピンがTMR効果の温度依存性に大きな影響を与えることが明らかなった。ナノ積層素子の磁気伝導特性を解析した結果、巨大TMR効果が、高次コトンネルによるトンネル伝導、及び、ナノ粒子界面(C_<60>-Co化合物/Co結晶)で生じるトンネル電子の完全に近いスピン偏極状態(スピン偏極率80%以上)に起因することが明らかになった。
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