| 研究課題/領域番号 |
19360294
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (90219080)
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| 研究分担者 |
内田 寛 上智大学, 理工学部, 助教 (60327880)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
2008年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2007年度: 16,640千円 (直接経費: 12,800千円、間接経費: 3,840千円)
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| キーワード | サイズ効果 / 誘電体薄膜 / 残留歪み / 温度依存性 |
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| 研究概要 |
サイズ効果フリー特性を有するSrBi_4Ti_4O_<15>について、誘電特性に及ぼす残留歪と温度の影響を調べた。結晶方位の異なる膜を作製して評価したところ、誘電率の温度依存性には結晶方位依存性が存在し、(001)配向が最も小さな温度依存性を示すことが明らかになった。一方基板からの熱歪の異なる基板上に作製したc軸1軸配向膜でも、比誘電率の温度依存性は小さいことが明らかになった。
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