| 研究課題/領域番号 |
19360295
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
篠崎 和夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (00196388)
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| 研究分担者 |
田中 順三 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (10343831)
脇谷 尚樹 静岡大学, 工学部, 教授 (40251623)
鈴木 久男 静岡大学, 創造科学技術大学院, 教授 (70154573)
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| 連携研究者 |
脇谷 尚樹 静岡大学, 工学部, 教授 (40251623)
鈴木 久男 静岡大学, 創造科学技術大学院, 教授 (70154573)
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| 研究協力者 |
木口 賢紀 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70311660)
原 亨 東京工業大学, 大学院・理工学研究科・社会人博士課程
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2008年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2007年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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| キーワード | 機能性セラミックス / 低温動作酸化物イオン伝導体 / 酸化物イオン導電体 / エピタキシャル薄膜 / 酸素センサー / Si基板 / 酸素濃淡電池 / PLD装置 / 反応性イオンエッチング |
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| 研究概要 |
YSZあるいはGd_2O_3添加CeO_2系酸化物イオン導電体をSi基板上にエピタキシャル薄膜化することで、従来の焼結体の固体電解質に比べて、低温の280～350℃程度で動作することを見いだした。この現象は、固体電解質を数十nm～数μmと非常に薄くすることによる内部抵抗の減少と、製膜時に発生する圧縮応力と基板と電解質の間に働く熱膨張差による引っ張り応力による複雑な応力状態により説明できることを明らかにした。
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