| 配分額 *注記 |
12,740千円 (直接経費: 9,800千円、間接経費: 2,940千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2007年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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| 研究概要 |
ULSI等デバイス製造に不可欠なスパッタ・ターゲット金属Hf,Zr,Ti,Ce,Laの高純度化を図った。Hf,Zr,Tiに対しては水素プラズマ溶解を適用し、Hf,Zr,Tiに比し蒸気圧が相対的に高いFe,Al,Cu,Cr,Mn等不純物を迅速に極低減化し、原料(99～99.9%)に対し1～2桁以上の純度向上を達成した。Ce,Laに対してはプラズマ帯溶融を適用し、従来にない優れた偏析効果でFe,Al等不純物の始端側での低減、Ca,Mn等高蒸気圧不純物の蒸発除去、O,N,Cの低減、により高純度La,Ceを得た。
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