| 研究課題/領域番号 |
19540331
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
村田 好正 東京大学, 名誉教授 (10080467)
|
|---|
| 研究分担者 |
岡野 達雄 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (60011219)
福谷 克之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900)
松本 益明 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (40251459)
|
|---|
| 連携研究者 |
岡野 達雄 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (60011219)
福谷 克之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900)
松本 益明 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (40251459)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
|
|---|
| キーワード | 表面・界面物性 / 物性実験 / 金属物性 / 複合材料・物性 / 貴金属単原子層結晶 / 単結晶酸化膜基板 / 2次元金属の物性実験 / バンドギャッフナロイング / 単結晶酸化膜 / 物件実験 |
|---|
| 研究概要 |
遷移金属の単結晶表面上に極薄の酸化物単結晶を作り、それを基板として白金、金などの貴金属を蒸着すると単原子層膜ができる。この電子物性と反応性の研究を目指したが、そこまで研究はたどり着けなかった。そして本研究では単結晶ニッケルの(111)表面上にSiO_2単結晶の超薄膜を作ることに対象を絞った。しかし多くのトラブルに遭遇し、それも思うように進まなかったが、超高圧相のSiO_2が生成している可能性が高い。これはインパクトが大きく、地上では作られていないが、宇宙空間には存在するのではないだろうか。
|
