| 研究課題/領域番号 |
19540357
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
西嵜 照和 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (90261510)
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| 研究協力者 |
高野 義彦 独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導材料センター, グループリーダー (10354341)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2007年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | ボロンドープダイヤモンド / 超伝導 / 走査トンネル顕微鏡 / トンネル分光 / ナノ電子状態 |
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| 研究概要 |
ボロンドープダイヤモンドの超伝導電子状態を明らかにするために, 極低温(T〓0.35 K)で走査トンネル顕微鏡/分光(STM/STS)測定を行った. STM測定の結果, (111)配向ボロンドープダイヤモンド薄膜の表面原子層がC(111)1×1 : H構造を持つことを明らかにした. また, STS測定の結果, 超伝導エネルギーギャップとその空間変化を明らかにし, 磁場中の測定から渦糸状態の直接観測に成功した.
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