研究課題
基盤研究(C)
ウラン化合物の中でも低温でバンドギャップを持つ半導体的な電気抵抗を示すβ-US_2に特に焦点を当て、強磁場を用いた実験装置を開発して、研究を行った。4.2Kの低温で磁場をかけることによって抵抗が急激に減少し、50テスラの強磁場下で電気抵抗は10万分の1以下にも減少し、電気伝導はもはや半導体的ではなく金属的であることを発見した。この金属化は、試料が磁場中での磁化の出現と相関があることを発見した。
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J. Phys. Soc. Jpn. 79(印刷中)
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