研究課題/領域番号 |
19540378
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅱ
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研究機関 | 東京理科大学 |
研究代表者 |
宮川 宣明 東京理科大学, 理学部, 准教授 (20246680)
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研究分担者 |
常盤 和靖 東京理科大学, 基礎工学部, 講師 (60307709)
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研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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キーワード | 高温超伝導 / 銅酸化物超伝導体 / 鉄系ニクタイド超伝導体 / 超伝導ギャップの対称性 / ドーピング依存性 / 電子ドープ型 / ホールドープ型 / 超伝導ギャップ / FeAs系超伝導体 / 2-ギャップ / Pd系新規材料 / 多層系銅酸化物超伝導体 / トンネル分光 / 電子ドープ銅酸化物超伝導体 / 超伝度ギャップ / 擬ギャップ |
研究概要 |
銅酸化物超伝導体(電子ドープ型 : Pr_(1-x)LaCe_xCuO_4、ホールドープ型 : Ba_2Ca_(n-1)Cu_n(O_(1-x)F_x)_2O_y(n=3-4)、TlBa_2CaCu_2O_(6.5+δ))およびそれの関連物質として2008年に新規に発見された鉄系ニクタイド(NdFeAsO1-y)のトンネル分光研究、さらにFeSeの合成および、それをベースにした新規超伝導体の探索研究を行った。その結果、電子ドープ型の超伝導ギャップの対称性、そのドーピング依存性および温度依存性を明らかにした。ホールドープ型に対しては、頂点フッ素系およびTl系のトンネル分光研究でははじめてその超伝導ギャップの観測に成功した。また多層系の共通の特徴として2種類の超伝導ギャップは不足ドープ領域でも存在し、かつその2種類のギャップの大きさの差はキャリア数の減少と共に小さくなっていくことを明らかにした。さらにFe系超伝導体のトンネル分光研究を行い、銅酸化物の超伝導状態密度との違いを明らかにした。
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