| 研究課題/領域番号 |
19540527
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 立命館大学 (2008)
高松工業高等専門学校 (2007) |
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研究代表者 |
服藤 憲司 立命館大学, 理工学部, 教授 (60442472)
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| 研究分担者 |
河村 雄行 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (00126038)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | プラズマ加工 / 計算物理 / 結晶工学 / 窒化ガリウム / 分子動力学 / ドライエッチング / 結晶欠陥 / イオンアシストエッチング |
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| 研究概要 |
物理スパッタリング率のイオンエネルギー及びイオン入射角度依存性、さらにエッチング後の結晶欠陥の基礎データを収集した。N原子に対するスパッタリング率はGa原子に対するそれよりも大きい。エッチングによるダメージに関して、結晶内にはGaとNがペアになったショットキー欠陥が生じやすい。Gaは格子間原子と成り得るが、Nは格子間原子としては結晶内に存在し得ず、表面上に押し出されて再結晶化するか、スパッタされる。反応性塩素ガスを結晶表面に被覆した場合のイオンアシストエッチングの素過程を調べた。物理スパッタリングの場合と比べて、Gaに対するエッチング率が飛躍的に増加すること、また、Arイオンが入射してから、Gaが表面から離脱するまでの時間が10倍程度遅くなることを確認した。
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