| 研究課題/領域番号 |
19550093
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
分析化学
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| 研究機関 | 北海道薬科大学 |
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研究代表者 |
國仙 久雄 北海道薬科大学, 薬学部, 教授 (10251571)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 多孔質ケイ酸塩 / 表面修飾 / 溶媒抽出 / 分離材 / ガリウムイオン / インジウムイオン / 分離試薬 / 選択性 / 細孔効果 |
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| 研究概要 |
シリカゲル表面にアルキル鎖を表面修飾し、そこに溶媒抽出で用いられる抽出試薬を担持した新規分離材を合成した。この分離材を用いて遷移金属イオンの分離を行うと溶媒抽出法と比較して選択性が向上する。この原因がシリカゲルの細孔によるものと考え、細孔径の異なるケイ酸塩を用いて分離材を合成し、選択性の検討を行った。その結果、細孔径と選択性の関係は見られないことがわかった。
一方、応用研究としてシリカゲル上に負2価6座配位子であるH2Clbbpenを担持した分離材を合成し、GaとInの吸着実験を行った。その結果、溶媒抽出と同様の吸着機構で水相からGaとInを吸着することを明らかにした。
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