| 研究課題/領域番号 |
19560008
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
花田 貴 (2008) 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
ちょ 明煥 (2007) 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (00361171)
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| 研究分担者 |
花田 貴 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 薄膜成長 / 光素子 / 窒化物半導体 |
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| 研究概要 |
サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。
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